TBC电池工艺P/N区poly Si厚度下降至150nm以内
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发布日期:2024-08-21 附件:0
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预算金额:8600万元人民币
目前量产及实验室T(略)i均为LPCVD法(略)m以上。过厚的po(略)D的石英工装及炉管(略)时,过厚的poly(略)法较好的生长pol(略)问题为爆膜、膜层均(略))。通过降低pol(略)m以内,解决以上两(略)